设计、制造、封装等工艺流程。在合成碳化硅粉后，先制作碳化硅晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底，经外延生长得到外延片。...

  TaN是芯片制造中常见的薄膜材料，它与TiN性质和作用有相类似的地方，关于TiN薄膜见之前的文章:晶圆TiN薄膜详解 今天我们就系统介绍一下TaN薄膜的性质、制备方法等方面的知识。...

  （1）在差动输入运算放大器的内部，Q1、Q2晶体管的晶圆制造不匹配会导致失调电压偏移误差，在某些情况里，内部电阻R1和R2是一对能够直接进行镭射调校的电阻。...

  V A + V OS = V B 1.输入级的制造工艺 放大器产生输入失调电压的根本原因是：输入级对称三极管晶圆不匹配。...

  元件的封装也会影响振铃状况，打线方式的封装会有比晶圆倒装方式的封装更大的寄生电感存在，因为邦定线的电感会大于焊点的电感，其表现就会更差一些。...

  单生物阻抗通道能够测量呼吸和皮肤电电阻(GSR)以及皮肤电活动(EDA)两项参数。...

  基于前述特性，相同规格的SiC-MOSFET比Si-MOSFET相比，导通电阻降低为 1/200 ，尺寸减小为 1/10 ；相同规格的使用SiC-MOSFET的逆变器和使用Si-IGBT相比，总能量损失小于...

  BOOT 端有一个 ESD 单元处于它和 SW 之间，其它小信号端子也各有一个小型的 ESD 单元，它们通常都和输入串联电阻一起保护这些小信号端子免受静电放电的危害。...

  N型半导体； 4：P型半导体和N型半导体的结合处会形成PN结，晶体管就是在这个基础上发明的，是个重大事件； 5：晶体管的性质和电子管一样，而体积小很多，对集成电路的发明提供了可能； 6：在一块硅晶圆上实现一个完整的电路...

  UnitedSiC 的 18 毫欧和 60 毫欧器件在市场占据领头羊，但在有些应用中，更低电阻部件和更高中间值更有优势。...

  MOSFET 并没有像 IGBT 那样的 拐点 电压，但有导通电阻。...

  但随着晶圆成本的降低、性能的提高、节能的价值和相关组件成本的降低，更广泛应用领域的工程师实在是没理由不做出点改变了。...

  但随着晶圆成本的降低、性能的提高、节能的价值和相关组件成本的降低，更广泛应用领域的工程师实在是没理由不做出点改变了。...

  碳化硅事业部高级应用工程师 Michael Zhou 在会中重点介绍了 Qorvo SiC 产品相比于其它同种类型的产品的优胜之处，Qorvo 的 SiC 产品采用 Cascode 结构，具有行业最低的导通电阻和优秀开关性能...

  SiC FET 一般会用具有非常出色热性能（结点到冷却液的热阻约为1.0 C/W）的 TO-247-4L 封装，同时使用 UnitedSiC（如今为 Qorvo）的晶圆减薄技术、银烧结芯片和陶瓷隔离器焊盘。...

  这些材料具备更好的介质击穿特性，可以打造更薄、掺杂更重、导通电阻更低的阻挡层，同时，更小的晶粒尺寸还可以降低器件电容和动态损耗。...

  这些材料具有更加好的介质击穿特性，可以打造更薄、掺杂更重、导通电阻更低的阻挡层，同时，更小的晶粒尺寸还能够更好的降低器件电容和动态损耗。...

  到了 2018 年，UnitedSiC 成功在六吋晶圆上量产了第三代的 1200V 和 750V 碳化硅产品。目前，这一些产品也升级到第四代。...

  3 最大平均整流电流Io 最大平均整流电流IO：在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。折算设计时很重要的值。...

  漏极（drain）和源极（source）分别放在晶圆的两面，这样的结构适合制造大功率器件。...

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