以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体资料，被称为第三代半导体资料，现在开展较为老练的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与传统资料比较，第三代半导体资料更适合制作耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器材，因而，其为根底制成的第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射才能等许多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛运用。

  第三代半导体工业链分为上游原资料供给，中游第三代半导体制作和下流第三代半导体器材环节。上游原资料包含衬底和外延片;中游包含第三代半导体规划、晶圆制作和封装测验;下流为第三代半导体器材运用，包含微波射频器材、电力电子器材和光电子器材等。

  现在我国半导体资料处于中低端范畴半导体职业的工业链上游支撑工业、中游制作工业以及下流运用工业构成，其间上游支撑工业首要有半导体资料和设备构成。

  半导体资料是指电导率介于金属和绝缘体之间的资料，半导体资料是制作晶体管、集成电路、光电子器材的重要资料。半导体资料首要运用在在晶圆制作和芯片封测阶段。在半导体资料商场构成方面，大硅片占比最大，占比为 32.9%，其次为气体，占比为 14.1%，光掩膜排名第三，占比为 12.6%，这以后分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建造靶材，占比分别为 7.2%、6.9%、6.1%、4%和 3%。因为半导体资料范畴高端产品技术壁垒高，而我国企业长时间研制和累计缺乏，我国半导体资料在世界中处于中低端范畴。我国大部分产品的自给率较低，首要是技术壁垒较低的封装资料，而晶圆制作资料首要是依托进口。现在，我国半导体资料企业会集在 6 英寸以下的生产线 英寸生产线。

  随同中美科技博弈继续晋级，科技自立自强成为国家开展的战略支撑，要害工业环节国产代替势在必行。从科技开展前史来看，当下快充设备、5G、新动力轿车等新式职业的开展叠加国家对“碳达峰、碳中和”的要求促进了第三代半导体资料需求的敏捷添加。第三代半导体是可循环的高效、高牢靠性的动力根底设备网络的重要组成部分，能够有用促进绿色低碳动力的开展。国家将“集成电路范畴要获得碳化（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的开展”写进了“十四五规划”，未来该范畴将是我国打破美国科技封闭，完成弯道超车的重要方向。

  出资主张:随同中美科技博弈继续晋级，科技自立自强成为国家开展的战略支撑，要害工业环节国产代替势在必行。

  危险警示：商场有危险，出资需谨慎。本文仅为出资者教育运用，不构成任何出资主张，出资者据此操作，危险自担。力求本文所涉信息精确牢靠，但并不对其精确性、完整性与及时性做出任何确保，对投入财物的人据此来出资所形成的全部丢失不承当任何职责。回来搜狐，检查更加多