氮化铝具有优秀的导热性（为氧化铝陶瓷的 5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，牢靠的绝缘功能，优秀的力学功能，无毒，耐高温，耐非物理性腐蚀，且与硅的热膨胀系数附近，大范围的应用于通讯器材、 高亮度LED、电力电子器材等职业，是抱负的大规模集成电路散热基板和封装资料。我司可按客户真实的需求出产各种规格尺度形状的产品。氮化铝（AlN）陶瓷基片是新一代高功能陶瓷基片，具有极高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热线胀系数（4.4×10－4/℃）等长处，化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色通明，常压下的提高分化温度为2450℃。氮化铝陶瓷基片，热导率高，电功能好、热膨胀系数与Si片挨近,强度高，耐高温，耐非物理性腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是替代BeO陶瓷的抱负资料，是抱负的大规模集成电路散热基板和封装资料。首要运用在于：高密度混合电路、微波功率器材、电力电子器材、光电子部件、半导体致冷等产品中做高功能基片资料和封装资料，大范围的应用于通讯器材、 高亮度LED、电力电子器材等职业。特色：热导率高、电功能好、热线胀系数与Si片挨近、无毒性，是替代BeO陶瓷的抱负资料。

  氧化铝(Al2O3)陶瓷基片,又称陶瓷基板,是以电子陶瓷为基的,对膜电路元件及外恰当元件构成一个支撑底座的片状资料