氮化铝的化学式为AlN。它是一种具有六方纤锌矿晶体结构的共价键合无机化合物。它的密度为 3.3 g/cm 3，摩尔质量为 40.99 g/mol。

  ·与大多数陶瓷比较，氮化铝有很高的 导热性。事实上，AlN 是一切陶瓷中导热率最高的资料之一，仅次于氧化铍。关于单晶AlN，这个值可以高达285 W/(m·K)。但是，关于多晶资料，70–210 W/(m·K) 规模内的值更常见。

  ·氮化铝的高导热性是因为其低摩尔质量（40.99 g/mol，而氧化铝 Al2O3 为 101.96 g/mol）、强键合和相对简略的晶体结构。下面将氮化铝的更多特性与其他相似的技能陶瓷进行比较。

  · 与在高温下运用相关的氮化铝的其他特性是高耐热冲击性和耐高温下熔融金属、化学品和等离子体的腐蚀。

  与其他陶瓷相似，AlN 有很高的电阻率，规模为 10-16 Ω·m。这使其成为电绝缘体。

  AlN还具有比较来说较高的介电常数，为8.8-8.9（纯AlN），与Al 2 O 3的介电常数附近，但远低于SiC。

  与 200 GPa 规模内的钢比较，它具有 343 GPa 的高杨氏模量。该值仅低于Al 2 O 3的值。

  半导体制作的完好过程中存在的高温与制作中器材的敏感性相结合，使氮化铝很合适用作衬底资料。其高导热性使其可以充任超卓的散热器，一起坚持电绝缘并且在高温下不会决裂。此外，它的热膨胀系数与硅十分相似。

  在相似运用中，AlN 是氧化铍的常见替代品，因为它在加工时不会损害健康。

  在薄膜方式下，AlN 有许多运用。因为其压电特性，它被用于外表声波 (SAW) 传感器。它还用于薄膜条形声波谐振器 (FBAR)，这是一种用于手机射频滤波器的微机电体系 (MEMS) 器材。还在研讨开发根据氮化镓铝的发光二极管。