B）进行焊接。陶瓷基板上覆盖有散热片，用于散热，其连接方式包括金属陶瓷基板和散热片之间的粘合，同时散热片可以是空气冷却或液冷。

  ◎氮化铝（AlN） 具有卓越的导热性能，大多数都用在需要高绝缘性和较厚陶瓷的高压应用。

  ◎氮化硅（Si3N4） 基板在各项性能方面表现最佳，能够给大家提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高级电动汽车驱动逆变器中的应用。

  选择哪种陶瓷材料取决于应用需求，包括绝缘性能、可靠性、热性能和成本等因素。在高级汽车驱动逆变器中，氮化硅基板是首选材料，因为在这样一些方面都具备出色的性能。

  在陶瓷基板中，Si3N4是一种先进的金属陶瓷材料。与其他陶瓷基板相比，Si3N4具有非常出色的导热性能和耐热性。针对Si3N4陶瓷基板的标准制作的完整过程中，通常使用银（Ag）为主要焊接材料，但是这样的形式成本比较高，而且存在银迁移的风险。

  为了解决这样一些问题，引入了Ag-free的制造工艺。Si3N4 Ag-free AMB陶瓷基板具有60 W/mK和80 W/mK两种热导率选项，分别满足了AMB陶瓷基板的标准性能和商业需求。

  与Si3N4 AMB相比，其热阻（Rth）无显著差异，经过高温储存测试（HTS）后依然稳定。符合部分放电要求，这对于功率模块在最终的电气测试中通过最重要，也能够尽可能的防止在实际应用中出现过早故障的风险。

  由于采用了Ag-free工艺，Si3N4 Ag-free AMB没有银迁移的问题，保证了组件的稳定性。

  Si3N4 Ag-free AMB不仅具备出色的性能，而且在制造成本和可靠性方面都具有竞争优势，是功率模块制造中的理想选择。

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